Kenttä-efektitransistori (FET) on yksinapainen puolijohdelaite, jonka virtaa ohjaa sähkökenttä. Se ei käytä käytännössä lainkaan virtaa tai käytä erittäin pientä virtaa sisääntulossaan, ja siinä on korkea tuloimpedanssi, alhainen kohina, hyvä lämpöstabiilisuus ja yksinkertaiset valmistusprosessit. Sitä käytetään laajalti suuren mittakaavan-ja erittäin suuren mittakaavan-integroiduissa piireissä.
FETit, joiden edut ovat alhainen virrankulutus, vakaa suorituskyky ja vahva säteilyvastus, ovat vähitellen korvaamassa transistorit integroiduissa piireissä. Ne ovat kuitenkin edelleen melko herkkiä. Vaikka useimmissa on sisäänrakennetut -suojadiodit, ne voivat silti vaurioitua, jos niitä ei käsitellä huolellisesti. Siksi niiden soveltamisessa on noudatettava varovaisuutta.
